Advanced Semiconductor Device&Circuit Laboratory
차세대 반도체 소자 및 회로 연구실
48. NAND 플래시 메모리와 SRAM이 융합된 NAS 메모리 셀 및 이를 이용한 NAS 메모리 어레이, PCT/KR2022/009114, 김윤, 안지훈
47. NAND 플래시 메모리와 플립플롭을 결합한 NAF 메모리 장치 및 그 동작방법, PCT/KR2022/017003, 김윤, 구민석, 이원주, 안지훈
46. 3차원 적층형 디램 어레이 및 그 제조방법, PCT/KR2023/004099, 김윤
45. 플라즈몬 금속 나노입자를 이용한 세포핵 내 단백질 검출방법, 10-2530499, 최인희, 안현지, 박현성, 장수정, 김학춘, 송지환, 김윤
44. 커패시터 기반 아날로그 ReLU 회로, 10-2024-0161675, 김윤, 구민석, 김소중, 이원주
43. 하나의 셀에 차지 트랩 기반 이종의 메모리를 집적한 소자 및 그 제조 방법, 10-2868251, 김상완, 박재연, 손재균, 김윤
42. THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH GATE DIELECTRIC FILM STRUCTURE, US 19/746,409, Byungchul Lee, Yoon Kim, Sukkang Sung, Gihong Park, Junhyoung Kim, Joonyoung Kwon.
41. 직교하는 워드라인을 구비한 임베디드 플래시 메모리 셀과, 이를 포함하는 메모리 셀 어레이 및 메모리 내 연산 시스템, 10-2026-0035469, 구민석, 김윤, 김진혁, 김정남
40. 가중치를 저항성 소자의 연결 여부 형태로 저장하는 스파이킹 뉴럴 네트워크, 10-2026-0035472, 구민석, 김윤, 이승준, 금건우, 김현준
39. 반도체 메모리 소자, 10-2025-0098345, 김윤, 문기봉, 박기홍, 김보람, 백승재
38. 임베디드 플래시 메모리와 스토캐스틱 뉴런으로 구현된 스파이킹 뉴럴 네트워크, 10-2025-0096737, 구민석, 김윤, 김정남, 금건우, 전혜연
37. 낸드 플래시 메모리 어레이를 활용한 부울 로직 연산 구현 방법, 10-2856068, 김윤, 문용삼, 김소중
36. Embedded NAND Flash 메모리와 Embedded DRAM이 융합된 하이브리드 메모리 장치, 10-2024-0029747, 김윤, 문용삼, 김소중, 안지훈, 구민석
35. 이중 게이트 TFT 기반의 전하 저장형 시냅스 소자와 시냅스 어레이, 10-2856063, 김윤, 박동욱, 김보람, 고유정
34. 커패시티브 커플링 기반의 연산 결과를 처리하는 뉴런 회로 구조 및 그 동작 방법, 10-2897014, 김윤, 김정남, 구민석
33. 3차원 적층 AND형 시냅스 어레이 회로, 그 제조방법 및 시냅스 어레이 회로의 동작 방법, 10-2632211, 김윤, 김정남, 박준, 김조은
32. 비트 라인의 전압 변화를 이용한 뉴런 회로, 10-2805682, 김 윤, 방성진
31. NAND 플래시 메모리와 플립플롭을 결합한 NAF 메모리 장치 및 그 동작방법, 10-2704795, 김 윤, 이원주, 안지훈, 구민석
30. 단기 기억 소자와 장기 기억 소자를 결합한 메모리 셀과 이를 이용한 어레이 및 그 동작방법과 제조방법, 10-2805677, 김 윤, 권희태, 이원주, 김조은
29. 로직 연산을 수행하는 임베디드 플래시 메모리 장치 및 이를 이용한 로직 연산 방법, 10-2805675, 김 윤, 안지훈, 방성진
28. 용량성 커플링 기반의 인공 신경망 시스템, 10-2820923, 김 윤, 김정남, 구민석
27. 페이지 버퍼로 로직 연산을 수행하는 메모리 유닛 및 이를 이용한 로직 연산 방법, 10-2693205, 김 윤, 채동혁, 방성진
26. 3차원 적층형 디램 어레이 및 그 제조방법, 10-2622628, 김 윤
25. NAND 플래시 메모리와 SRAM이 융합된 NAS 메모리 셀 및 이를 이용한 NAS 메모리 어레이, 10-2483906, 김 윤, 안지훈
24. 단기 저장형 플래시 메모리 소자 및 어레이, 10-2636211, 김 윤, 최현석, 박준성
23. 인-메모리 컴퓨팅을 위한 메모리 장치 및 메모리 장치의 구동 방법, 10-283205, 김 윤, 홍석원
22. 3차원 적층 어레이 기반의 원 타임 프로그래머블 메모리와 그 제조 및 동작방법, 10-2555572, 김 윤, 권희태, 김재성, 박준희
21. 3차원 적층 시냅스 어레이 기반의 뉴로모픽 시스템 및 제조 방법, 10-2525925, 김 윤, 김정남, 안지훈
20. 3차원 적층 시냅스 어레이 기반의 뉴로모픽 시스템과 그 동작 방법 및 제조 방법, 10-2112393, 김 윤, 이종호, 박유정
19. 곡면 채널을 갖는 3차원 적층 NOR 플래시 메모리와 그의 제조 방법 및 동작 방법, 10-2134089, 김 윤, 최현석, 김보람
18. 뉴런 회로 및 이의 제어 방법, 10-2398449, 김 윤, 최현석, 김보람, 위대훈.
17. 재구성 가능한 뉴로모픽 시스템 및 이의 신경망 구성 방법, 10-2099242, 박병국, 김 윤, 김형진, 위대훈.
16. NEUROMORPHIC SYSTEM AND MEMORY DEVICE, US 11,055,603 B2, Byung-Gook Park, Yoon Kim, Hyungjin Kim.
15. 반도체 장치 및 그 제조 방법, 10-1830712, 김 윤, 최현석, 이원주, 위대훈, 권희태, 박유정.
14. 뉴로모픽 시스템, 및 기억 장치, 10-1997868, 박병국, 김 윤, 김형진.
13. 소자 특성 조절형 전계 효과 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, 10-1919148, 김 윤, 권희태, 위대훈, 최현석.
12. 存储装置、存储系统、操作存储装置以及存储系统的方法, CN 106504791 B, Sang-Soo Park, Yoon Kim, Won-Bo Shim.
11. 存储器设备、存储器系统及其操作方法, CN 106486166 B, Yoon Kim, Dong-Chan Kim, Ji-Sang Lee.
10. Memory Device, Memory System, Method Of Operating The Memory Device, AND METHOD OF OPERATING THE MEMORY SYSTEM, US 9 , 916 , 900 B2, Yoon Kim, Dong-Chan Kim, Ji-Sang Lee.
9. Memory Device, Memory System, Method Of Operating The Memory Device, AND METHOD OF OPERATING THE MEMORY SYSTEM, US 9,824,765 B2, Sang-Soo Park, Yoon Kim, Won-Bo Shim.
8. 저항 변화 메모리 장치 및 이의 제조 방법, 10-1917181, 김 윤, 이원주, 권희태.
7. Storage device and read methods thereof, US 9,836,219 B2, Yoon Kim, Kyehyun Kyung, Kyungryun Kim, Sangyong Yoon.
6. 3차원 스타구조를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 동작방법, 10-1325492, 박병국, 김 윤.
5. 층 선택이 가능한 3차원 스타구조를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법, 10-1103607, 박병국, 김 윤.
4. 수직 게이트를 갖는 4비트 메모리 셀 및 이를 이용한 노아 플래시 메모리 어레이와 그 제조방법, 10-1030974, 박병국, 김 윤.
3. 수직 적층된 SSL을 갖는 스타구조 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법, 10-1263313, 박병국, 김 윤, 서주연.
2. Semiconductor Device And Methods Of Forming And Operation The Same, US 7928501 B2, Wook-Hyun Kwon, Byung-Gook Park, Yun-Heub Song, Yoon Kim.
1. 3차원 적층형 메모리 어레이의 컨택 형성 방법, 10-1250851, 박병국, 김완동, 김 윤.